Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ha introdotto GT20N135SRA, un IGBT discreto da 1350 V per fornello IH da tavolo, cuociriso IH, forni a microonde e altri elettrodomestici che utilizzano circuiti di risonanza di tensione. L'IGBT presenta una tensione di saturazione del collettore-emettitore di 1,75 V e una tensione diretta del diodo di 1,8 V, rispettivamente inferiore di circa il 10% e il 21% rispetto al prodotto corrente.
Sia l'IGBT che il diodo hanno caratteristiche di perdita di conduzione migliorate ad alta temperatura (T C = 100 ℃) e il nuovo IGBT può aiutare a ridurre il consumo energetico dell'apparecchiatura. Presenta inoltre una resistenza termica giunzione-custodia di 0,48 ℃ / W inferiore di circa il 26% rispetto a quella dei prodotti attuali, consentendo progettazioni termiche più semplici.
Caratteristiche di GT20N135SRA IGBT
- Bassa perdita di conduzione:
VCE (sat) = 1,6 V (tip.) (@ IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 V (tip.) (@ IF = 20 A, VGE = 0 V, Ta = 25 ℃)
- Bassa resistenza termica giunzione-custodia: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (max)
- Sopprime la corrente di cortocircuito che scorre attraverso il condensatore di risonanza quando l'apparecchiatura è accesa.
- L'ampia area operativa sicura
Il nuovo IGBT può sopprimere la corrente di cortocircuito che scorre attraverso il condensatore di risonanza quando l'apparecchiatura è accesa. Il suo valore di picco della corrente del circuito è 129 A, circa il 31% di riduzione rispetto al prodotto corrente. Il GT20N135SRA semplifica la progettazione dell'attrezzatura rispetto ad altri prodotti simili oggi disponibili poiché la sua area operativa sicura viene ampliata. Per ulteriori dettagli su GT20N135SRA, visitare il sito Web ufficiale di Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.