- La prima soluzione al mondo per integrare driver Si e transistor di potenza GaN in un unico pacchetto
- Consente caricatori e adattatori dell'80% più piccoli e del 70% più leggeri, mentre si ricarica 3 volte più velocemente rispetto alle normali soluzioni a base di silicio
La STMicroelectronics ha introdotto una piattaforma che incorpora un driver a mezzo ponte basato sulla tecnologia del silicio insieme a una coppia di transistor al nitruro di gallio (GaN). La combinazione accelererà la creazione di caricabatterie e adattatori di alimentazione compatti ed efficienti di nuova generazione per applicazioni consumer e industriali fino a 400W.
La tecnologia GaN consente a questi dispositivi di gestire più potenza anche quando diventano più piccoli, più leggeri e più efficienti dal punto di vista energetico. Consente caricabatterie e adattatori dell'80% più piccoli e del 70% più leggeri, mentre si ricarica 3 volte più velocemente rispetto alle normali soluzioni a base di silicio. Questi miglioramenti faranno la differenza per i caricabatterie ultraveloci e wireless per smartphone, gli adattatori compatti USB-PD per PC e giochi, nonché in applicazioni industriali come sistemi di accumulo di energia solare, gruppi di continuità o TV OLED di fascia alta e server cloud.
L'attuale mercato GaN è tipicamente servito da transistor di potenza discreti e circuiti integrati di pilotaggio che richiedono ai progettisti di imparare a farli lavorare insieme per ottenere le migliori prestazioni. L'approccio MasterGaN di ST aggira questa sfida, con conseguente time-to-market più rapido e prestazioni garantite, insieme a un ingombro ridotto, assemblaggio semplificato e maggiore affidabilità con meno componenti. Con la tecnologia GaN e i vantaggi dei prodotti integrati della ST, caricabatterie e adattatori possono ridurre l'80% delle dimensioni e il 70% del peso delle normali soluzioni a base di silicio.
La ST sta lanciando la nuova piattaforma con MasterGaN1, che contiene due transistor di potenza GaN collegati a mezzo ponte con driver integrati high-side e low-side.
MasterGaN1 è attualmente in produzione, in un package GQFN da 9 mm x 9 mm alto solo 1 mm. Al prezzo di $ 7 per ordini di 1.000 unità, è disponibile presso i distributori. È inoltre disponibile una scheda di valutazione per aiutare a far ripartire i progetti energetici dei clienti.
Ulteriori informazioni tecniche
La piattaforma MasterGaN sfrutta i gate driver STDRIVE 600V e i transistor GaN ad alta mobilità elettronica (HEMT). Il package GQFN a basso profilo da 9 mm x 9 mm garantisce un'elevata densità di potenza ed è progettato per applicazioni ad alta tensione con una distanza di dispersione di oltre 2 mm tra i pad ad alta e bassa tensione.
La famiglia di dispositivi coprirà diverse dimensioni di transistor GaN (RDS (ON)) e sarà offerta come prodotti half-bridge compatibili con i pin che consentono agli ingegneri di scalare progetti di successo con modifiche hardware minime. Sfruttando le basse perdite di accensione e l'assenza di recupero body-diode che caratterizzano i transistor GaN, i prodotti offrono un'efficienza superiore e un miglioramento delle prestazioni complessive in topologie high-end ad alta efficienza come flyback o forward con clamp attivo, risonante, totem senza ponte -pole PFC (correttore del fattore di potenza) e altre topologie soft e hard-switching utilizzate nei convertitori AC / DC e DC / DC e negli inverter DC / AC.
Il MasterGaN1 contiene due transistor normalmente disattivati che presentano parametri di temporizzazione strettamente abbinati, corrente nominale massima di 10 A e resistenza di accensione di 150 mΩ (RDS (ON)). Gli ingressi logici sono compatibili con segnali da 3,3V a 15V. Sono inoltre integrate funzionalità di protezione complete, tra cui protezione UVLO lato basso e lato alto, interblocco, un pin di spegnimento dedicato e protezione da sovratemperatura.