Toshiba ha annunciato una nuova serie di MOSFET di potenza da 650 V di nuova generazione, destinati ad essere utilizzati negli alimentatori per server nei data center, condizionatori di energia solare (FV), sistemi di continuità (UPS) e altre applicazioni industriali.
Il primo MOSFET di potenza della serie DTMOS VI è il 650V TK040N65Z che supporta correnti di drain continue (I D) fino a 57A e 228A quando pulsato (I DP). Per ridurre le perdite nelle applicazioni di potenza, fornisce una resistenza di attivazione drain-source ultra-bassa R DS (ON) di 0,04 Ω (0,033 Ω tip.) Che lo rende adatto per l'uso nei moderni alimentatori ad alta velocità, a causa del ridotto capacità nel design.
Le riduzioni dell'indice di prestazione chiave / figura di merito (FoM) - R DS (ON) x Q gd migliorano l'efficienza energetica nelle applicazioni. Il TK040N65Z mostra un miglioramento del 40% in questa importante metrica rispetto al precedente dispositivo DTMOS IV-H, che mostra un significativo aumento dell'efficienza dell'alimentatore nella regione dello 0,36%, come misurato in un circuito PFC da 2,5 kW.
Applicazioni
- Centri data (alimentatori per server, ecc.)
- Condizionatori di corrente per generatori fotovoltaici
- Sistemi di alimentazione ininterrotta
Caratteristiche
- R DS (ON) × Q gd inferiore consente la commutazione degli alimentatori per migliorare l'efficienza
Specifiche principali (@T a = 25 ℃)
Numero di parte |
TK040N65Z |
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Pacchetto |
TO-247 |
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Valutazioni massime assolute |
Tensione drain-source V DSS (V) |
650 |
Corrente di drenaggio (DC) I D (A) |
57 |
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Resistenza On-source R DS (ON) max @V GS = 10V (Ω) |
0,040 |
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Carica di gate totale Q g tip. (nC) |
105 |
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Carica gate-drain Q gd tip. (nC) |
27 |
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Capacità di ingresso C iss tip. (pF) |
6250 |
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Numero di parte della serie precedente (DTMOS Ⅳ-H) |
TK62N60X |
Il TK040N65Z è disponibile in un pacchetto TO-247 standard del settore che garantisce la compatibilità con i design legacy e l'idoneità per nuovi progetti. Oggi entra in produzione di massa e le spedizioni iniziano immediatamente.